CN120282463A Igbt器件及其制备方法 (华虹半导体(无锡)有限公司).pdfVIP

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  • 2026-05-12 发布于重庆
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CN120282463A Igbt器件及其制备方法 (华虹半导体(无锡)有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120282463A

(43)申请公布日2025.07.08

(21)申请号202510293713.XH10D64/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

(22)申请日2025.03.12

(71)申请人华虹半导体(无锡)有限公司

地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路

30号

申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

华虹半导体制造(无锡)有限公司

(72)发明人张同博潘嘉黄璇卢烁今

杨继业王力

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限

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