T_CASAS 037-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法.docxVIP

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团体标准

T/CASAS037—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）栅极电荷测试方法

Gatechargetestmethodforsiliconcarbidemetal-oxidesemiconductorfield

effecttransistors（SiCMOSFET）

2024-11-19发布2024-11-19实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟中国标准出版社

发布出版

T/CASAS037—2024

Ⅰ

目次

前言 Ⅲ

引言 Ⅳ

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4测试原理 3

4.1栅极电荷测试基本原理 3

4.2感性负载（双脉冲）电路测试原理 4

4.3阻性负载（单脉冲）电路测试原理