CN119542364A 一种中空Ti3C2@TiSe2异质结构制备方法及在二次电池的应用 （湖北大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119542364A

(43)申请公布日2025.02.28

(21)申请号202311081990.1

(22)申请日2023.08.26

(71)申请人湖北大学

地址430063湖北省武汉市武昌区友谊大

道368号

(72)发明人梅涛刘梦竹王贤保

(51)Int.Cl.

H01M4/36(2006.01)

H01M4/587(2010.01)

H01M4/58(2010.01)

H01M10/054(2010.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种中空Ti3C2@TiSe2异质结构制备方法及

在二次电池的应用

(57)摘要

CN119542364A本发明提供一种异质结构中空Ti3C2@TiSe2复合材料的制备方法及其在钠离子电池中的应用，Ti3C2@TiSe2复合材料通过简单的模板法和固相烧结手段，最后原位硒化合成，将其作为钠离子电池负极材料，表现出高可逆容量，这种独特的结构弥补了MXene在结构稳定方面的不足，并且缩短了电化学反应过程中的离子扩散距离，进一步增强了物质表面活性，并提高了材料的导电性。MXene和TiSe2结构的复合，可以有效的缓解在电化学反应过程中离子体积膨胀的问题，进一

CN119542364A

CN