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2022长鑫存储实习生转正在线考核试题及标准答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在DRAM存储单元中，用于保持数据的最关键晶体管工作状态是

A.截止区B.线性区C.饱和区D.亚阈值区

2.下列哪一项不是3DNAND相比平面NAND的主要优势

A.单位面积容量提升B.单元间干扰减小C.写入功耗降低D.光刻层数减少

3.关于RRAM的Set/Reset过程，下列描述正确的是

A.Set为高阻→低阻，Reset为低阻→高阻B.两者均靠热熔断实现

C.Reset电流一定大于Set电流D.氧空位迁移方向在Set与Reset时相同

4.在半导体产线SPC控制图中，出现连续7点单调上升，应首先采取

A.停机检修B.加大采样频率C.寻找系统原因D.放宽规格限

5.用于评价栅氧质量的TDDB测试，其加速因子模型最常采用

A.ArrheniusB.EyringC.1/E模型D.幂律模型

6.当DRAM刷新周期从64ms放宽到128ms，对下列参数影响最小的是

A.静态功耗B.数据保持时间C.单元漏电D.感测放大器失调

7.在CMP工艺中，为提高钨插塞的去除选择性，常添加的抑制剂是

A.甘氨酸