模拟电子线路1.3-晶体二极管电路分析方法.ppt

1.3晶体二极管电路分析方法晶体二极管的内部结构就是一个PN结。就其伏安特性而言，它有不同的表示方法，或者表示为不同形式的模型：适于任一工作状态的通用曲线模型便于计算机辅助分析的数学模型直流简化电路模型交流小信号电路模型电路分析时采用的

数学模型—伏安特性方程式理想模型：修正模型：rS—体电阻+引线接触电阻+引线电阻其中：n—非理想化因子I正常时:n?1I过小或过大时:n?2注意：考虑到阻挡层内产生的自由电子空穴对及表面漏电流的影响，实际IS??理想IS。1.3.1晶体二极管的模型

曲线模型—伏安特性曲线V(BR)I(mA)V(V)VD(on)-IS当VVD(on)时二极管导通当VVD(on)时二极管截止当反向电压V?V(BR)时二极管击穿晶体二极管的伏安特性曲线，通常由实测得到。

简化电路模型折线等效：在主要利用二极管单向导电性的电路中，实际二极管的伏安特性。IVVD(on)IV0abIVVD(on)abVD(on)RDD+-理想状态：与外电路相比，VD(on)和RD均可忽略时，二极管的伏安特性和电路符号。开关状态：与外电路相比，RD可忽略时的伏安特性。简化电路模型：折线等效时，二极管的简化电路模型。

小信号电路模型：为二极管增量结电阻。（室温）：PN结串联电阻，数值很