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30V 94A 5.7mΩN-通道PowerTrench®MOSFET概述与特性.pdfVIP

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  • 2026-05-15 发布于北京
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30V 94A 5.7mΩN-通道PowerTrench®MOSFET概述与特性.pdf

    2012年1月

    FDD8896_F085

    N‑通道PowerTrench®MOSFET

    30V，94A，5.7mΩ

    概述特性

    •rDS(ON=10

    此N‑通道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM)=5.7mΩ，VGSV，ID=35A•

    rDS(ON=4•

    控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它经过优化，)=6.8mΩ，VGS.5V，ID=35A高性能沟槽

    具有低栅极电荷、低rDS(ON)和快速开关速度。技术，实现极低的rDS(ON)•低栅极电荷•高功率和电流

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