CN120109163A 一种POSS基SiOC涂层包覆的硅炭负极的制备方法及其储能应用 (北京化工大学).pdfVIP

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  • 2026-05-13 发布于重庆
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CN120109163A 一种POSS基SiOC涂层包覆的硅炭负极的制备方法及其储能应用 (北京化工大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120109163A

(43)申请公布日2025.06.06

(21)申请号202510298819.9

(22)申请日2025.03.13

(71)申请人北京化工大学

地址100029北京市朝阳区北三环东路15

(72)发明人宋怀河李凯冉蒋志杰李昂

陈晓红苑仁鲁

(51)Int.Cl.

H01M4/1395(2010.01)

H01M4/38(2006.01)

H01M4/36(2006.01)

H01M4/62(2006.01)

H01M10/0525(2010.01)

权利要求书1

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