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探析杂散电感对SiCMOSFET开关过程的影响及优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电力电子技术的迅猛发展，对功率器件的性能要求日益严苛。碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）作为第三代半导体器件的杰出代表，凭借其卓越的特性，在众多领域展现出巨大的应用潜力，正逐步成为研究与应用的焦点。

SiCMOSFET具备诸多显著优势。其宽带隙特性使其能够承受更高的电压，有效降低导通电阻，进而减少导通损耗。例如，在相同的额定电流和电压条件下，SiCMOSFET的导通电阻可比传统硅基功率器件降低一个数量级以上，这意味着在电力传输和转换过程中，能量损耗大幅减少，系