CN120184149A 半导体结构及其套刻误差测量方法 （湖北星辰技术有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120184149A

(43)申请公布日2025.06.20

(21)申请号202510309199.4

(22)申请日2025.03.14

(71)申请人湖北星辰技术有限公司

地址430223湖北省武汉市东湖新技术开

发区流芳园横路12号汇成工业科创园

2号楼11F（自贸区武汉片区）

(72)发明人程浩刘道学赵平袁娜

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有

限公司11270

专利代理师王世璇浦彩华

(51)Int.Cl.

H01L23/544(2006.01)

H01L21/66(2006.01)