聚合物击穿机理及其对石墨烯聚酰亚胺复合材料压阻特性影响.pptx

聚合物击穿机理整理;课题目标;近期目标;上周进展;2.聚合物击穿机理整理;2.JiwonKim的研究中[2]，控制在一定的电压范围内，电阻随电压增大而增大，发生可逆的介电击穿。根据U-I扫描曲线的巨大差异，说明通过10mA电流后，就已经发生了不可逆的击穿过程，材料的属性发生永久的变化。;3.在直流电场中，整个PI/Gra复合材料电场分布是不均匀的，V.A.Zakrevskii提出高电场处，有机大分子电离形成大离子（macroion）,热影响使得大离子的化学键断裂(thermolfluctuationalrupture)[3],导致聚合物中形成气孔(pores)。

4.聚合物电击穿会先形成空腔或者低密度区，放电引起的聚合物的侵蚀（erosion），宏观上形成导电通路[4]。S.Diaham在溅射Au作为上下电极击穿PI薄膜的实验中观察到PI击穿后有穿刺结构的导电通道，周围是扩展碳化的区域[5]。

;5.

在PI/Gra复合材料中，石墨烯间的聚酰亚胺被电离裂解，形成导电通道，使得电阻降低。

电离过程产生的气体与电弧(arcing)，产生裂纹。;本周计划;请老师师兄指正，谢谢！