SJ-T 11975-2025-电力系统用压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）门类规范标准研究报告.docxVIP

SJ/T11975-2025电力系统用压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）门类规范发展报告

EnglishTitle

DevelopmentReportonSJ/T11975-2025:GenericSpecificationforPress-PackInsulatedGateBipolarTransistors(IGBT)forPowerSystems

摘要

本报告围绕SJ/T11975-2025《电力系统用压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）门类规范》的制定背景、技术内容、行业影响及未来发展趋势展开系统分析。随着全球能源结构转型和智能电网建设的加速推进，电力系统对高压、大功率、高可靠性半导体器件的需求日益迫切。压接式IGBT凭借其双面散热、低热阻、高短路耐受能力及失效短路模式等独特优势，在柔性直流输电、高压变频器、轨道交通牵引、新能源并网等关键领域得到广泛应用。然而，长期以来，国内缺乏针对电力系统用压接式IGBT的专项门类规范，导致产品性能参差不齐、互换性差、可靠性评估标准缺失，制约了产业链的协同发展。本标准由工业和信息化部提出并归口，由中国电子技术标准化研究院牵头，联合国内主要IGBT制造企业、电力系统用户及科研院所共同起草。标准首次系统规定了电力系统用压接式IGBT的术语定义、分类体系、技术要求、试验方法、检验规则及标志包装等核心内容，填