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共振腔发光二极管结构优化对频率特性的影响与应用研究

一、绪论

1.1研究背景与意义

在光电器件飞速发展的当下，共振腔发光二极管（ResonantCavityLightEmittingDiode，RCLED）凭借其独特的结构和优异的性能，在众多光电器件中占据着重要地位。作为一种将有源区置于法布里-珀罗（Fabry-Perot，FP）光学谐振腔中的特殊结构发光二极管，RCLED兼具传统发光二极管（LED）和垂直腔面激光器（VCSEL）的部分优点，具有广阔的应用前景。

从结构上看，RCLED主要由高反射率的下反射镜、中等反射率的上反射镜以及包含发光有源区的共振腔组成。这种结构