摘要
铜铟硫(CuInS₂)作为一种直接带隙半导体材料,因其窄带隙特性和优异的光吸收
性能,在光电探测器、太阳能电池等领域展现出巨大的应用潜力。目前,研究者已开发
出多种基于阳离子交换策略的CuInS₂合成方法,但所获得的材料多为纳米棒或亚微米级
纳米片,其尺寸和形貌难以满足微纳器件制造工艺的要求,限制了其在实际应用中的推
广。针对这一问题,本研究开发了新型的二维阳离子交换方法。选定合适的模版材料
Cu₉S₅,通过系统优化反应条件成功制备了大尺寸二维Cu₉S₅纳米片。在此基础上,通过
阳离子交
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