1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 电子工程/通信技术
  5. 无线电电子学/电信技术

CMOS模拟集成电路设计：MOS器件物理基础详解.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.32万字
  • 约 83页
  • 2026-05-19 发布于北京
  • 举报

CMOS模拟集成电路设计：MOS器件物理基础详解.pdf

    模拟CMO设计

    DesignofAnalogCMOSIC

    高大伟

    微电子技术系

    第二章MOS器件基础

    ❖2.1基本概念

    ❖2.2MOS的I/V特性

    ❖2.3二级效应

    ❖2.4MOS的器件模型

    第一节基本概念

    G

    漏（D:drain）、栅（G:e）、

    源（S:source）、衬底（B:bulk）

    S

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >