CMOS模拟集成电路设计：MOS器件物理基础.pptxVIP

模拟CMOS集成电路设计

DesignofAnalogCMOSIC高大伟微电子技术系

第二章MOS器件物理基础2.1基本概念2.2MOS的I/V特性2.3二级效应2.4MOS的器件模型

漏（D:drain）、栅（G:gate）、源（S:source）、衬底（B:bulk）GSDMOSFET：一个低功耗、高效率的开关第一节基本概念

MOS管的四端口栅极(G)：栅氧下的衬底区域为有效工作区（即沟道区）源极(S)与漏极(D)：是几何对称的。一般根据电荷的输入与输出来定义源区与漏区：源端为输出电荷的端口漏端为收集电荷的端口当器件端口电压改变时，源区与漏区就可能改变作用，交换定义。衬底(B)：模拟IC中要考虑衬底（B）的影响，衬底电位是通过p＋区（NMOS的衬底）或n＋区(PMOS衬底)了连接的。第一节基本概念

MOS管的核心参数沟道长度L：CMOS工艺的自对准特点，其沟道长度定义为漏源之间栅的尺寸，一般其最小尺寸即为制造工艺中所给的特征尺寸；由于在制造漏/源结时会发生边缘扩散，所以源漏之间的实际距离（称之为有效长度L’）略小于长度L，则有L’＝L－2d，其中L是漏源之间的总长度，d是边缘扩散的长度。沟道宽度W：垂直于沟道长度方向的栅的尺寸。栅氧厚度tox：栅极与衬底之间的二氧化硅的厚度。第一节基本概念

MOS管几何结构第一节基本概念