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碳化硅离子注入及欧姆接触：原理、工艺与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

1.1.1碳化硅材料的特性与应用领域

碳化硅（SiC）作为一种重要的宽禁带半导体材料，凭借其众多卓越特性，在现代科技领域中占据着愈发关键的地位。从物理特性来看，碳化硅具有高熔点，其升华熔点约达2700度，且不存在液态，仅以固态和气态存在，这赋予了它在高温环境下保持结构稳定的能力，使其成为高温应用领域的理想选择；其硬度极高，莫氏硬度达到9.2-9.3，仅次于金刚石，在耐磨材料方面表现出色，常被用于制造砂纸、砂轮等磨具，用于金属、陶瓷等材料的磨削和抛光。碳化硅还拥有高导热率，大约是铜的2-3