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YS/T1744-2025半绝缘砷化镓单晶衬底片标准发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportonStandardYS/T1744-2025forSemi-InsulatingGalliumArsenideSingleCrystalSubstrates

摘要

本报告围绕有色金属行业标准YS/T1744-2025《半绝缘砷化镓单晶衬底片》的制定与发布，系统阐述了该标准的研制背景、技术内容、主要修订要点及行业应用价值。半绝缘砷化镓（GaAs）单晶衬底片作为射频微波器件、光电子器件及高速数字集成电路的核心基础材料，其质量与性能直接决定了终端器件的可靠性与技术指标。随着5G/6G通信、卫星互联网、毫米波雷达及量子计算等前沿技术的快速发展，对半绝缘砷化镓衬底片的电阻率均匀性、热稳定性、表面缺陷密度及几何尺寸精度提出了更为严苛的要求。本标准在充分调研国内外相关技术标准（如SEMIM1、ASTMF76等）及国内产业现状的基础上，结合近年来国内砷化镓单晶生长与加工技术的突破性进展，对原有标准进行了全面修订。主要内容包括：细化了电阻率、迁移率及碳浓度等电学参数的测试方法与指标要求；新增了微缺陷密度（如位错、堆垛层错）的检测规范；优化了衬底片翘曲度、总厚度变化（TTV）及表面粗糙度等几何参数的公差范围；并引入了基于激光散射法的表面颗粒度