分子束外延（MBE）用高纯铝源标准研究报告.docxVIP

YS/T1745-2025《分子束外延（MBE）用高纯铝源》标准发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportonStandardYS/T1745-2025“High-purityAluminumSourceforMolecularBeamEpitaxy(MBE)”

摘要

随着半导体、光电子及量子信息技术的快速发展，分子束外延（MBE）技术作为制备高质量薄膜材料的关键工艺，对源材料纯度与性能提出了极高要求。高纯铝源作为MBE工艺中用于生长铝镓氮（AlGaN）、铝砷化镓（AlGaAs）等化合物半导体的核心原料，其质量直接决定外延层的晶体质量与器件性能。然而，长期以来，我国缺乏针对MBE用高纯铝源的统一行业标准，导致产品规格不一、质量参差不齐，制约了高端半导体材料的国产化进程。为规范市场、提升产品质量并推动产业升级，工业和信息化部发布了行业标准YS/T1745-2025《分子束外延（MBE）用高纯铝源》。本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口，主要起草单位包括国内领先的高纯金属材料研发与生产企业。标准内容涵盖了高纯铝源的术语定义、技术要求（包括纯度等级、杂质元素限量、物理形态等）、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存等全链条规范。本报告旨在系统阐述该标准的制定背景、核心技术指标、实施意义及未来展望，为行业技术人员、质量管