硅多晶生产用石墨制品表面杂质含量的测定 电感耦合等离子体光谱法标准研究报告.docxVIP

YS/T1768-2025硅多晶生产用石墨制品表面杂质含量的测定电感耦合等离子体光谱法标准发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportonStandardYS/T1768-2025–DeterminationofSurfaceImpurityContentonGraphiteProductsUsedforPolycrystallineSiliconProductionbyInductivelyCoupledPlasmaOpticalEmissionSpectrometry

摘要

本报告系统阐述了有色金属行业标准YS/T1768-2025《硅多晶生产用石墨制品表面杂质含量的测定电感耦合等离子体光谱法》的制定背景、技术内容、编制过程及行业意义。随着光伏产业和半导体工业的快速发展，高纯硅多晶作为核心基础材料，其生产过程中使用的石墨制品（如坩埚、加热器、保温筒等）的表面洁净度直接关系到硅多晶的纯度与最终器件的性能。然而，长期以来，行业内缺乏针对石墨制品表面杂质含量的统一、精准的检测方法标准，导致质量控制手段参差不齐，制约了产业链的协同发展。本标准基于电感耦合等离子体光谱法（ICP-OES），通过优化样品前处理工艺（如酸浸取、灰化法等）、建立标准曲线及精密度控制要求，实现了对石墨制品表面多种金属杂质（