CN119835979A 高散热性的SiC VDMOSFET结构及其制备方法 （杭州谱析光晶半导体科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835979A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510309910.6

(22)申请日2025.03.17

(71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司

地址310000浙江省杭州市萧山区瓜沥镇

航钱路168号3幢4层405（自主分割）

(72)发明人许一力李鑫刘倩倩

(74)专利代理机构深圳市励知致远知识产权代

理有限公司44795

专利代理师孙平

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H01L23/367(2006.01)

H10D30/01(2025.01)