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硅基板上氧化锌纳米结构的构筑与特性解析：从制备到应用的全面探究

一、引言

1.1研究背景与意义

氧化锌（ZnO）作为一种重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，具有优良的光电、压电、气敏、压敏等特性，在半导体、传感器、光电器件、催化等众多领域展现出广阔的应用前景。在半导体领域，纳米结构的氧化锌可用于制备高性能的场效应晶体管、发光二极管等器件，其高载流子迁移率和良好的光学特性有助于提升器件的性能和效率。在传感器方面，氧化锌纳米结构对多种气体如乙醇、甲醛、二氧化氮等具有高灵敏度和选择性响应，可用于制备高灵敏度的气体传感器，用于环境监