CN119584588A 一种碳化硅超结平面栅横向mos器件及其制造方法 （山东大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119584588A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202510134191.9

(22)申请日2025.02.07

(71)申请人山东大学

地址250100山东省济南市历城区山大南

路27号

(72)发明人汉多科·林纳威赫蔡菁菁

韩吉胜徐现刚崔鹏

(74)专利代理机构济南金迪知识产权代理有限

公司37219

专利代理师于兆生

(51)Int.Cl.

H10D30/60(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D62/40(2025.01)

H10D62/83(2025.01)

权利要求书2页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种碳化硅超结平面栅横向MOS器件及其制

造方法

(57)摘要

CN119584588A本发明涉及一种碳化硅超结平面栅横向MOS器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域。器件由下到上依次包括衬底和外延层，外延层两侧分别设置有漏极区域A和源极区域A，漏极区域A和源极区域A内分别设置有漏极金属和源极金属，外延层内设置有p柱区域，p柱区域内设置有p阱区域，p阱区域内设置有p+区域，p+区域邻侧对称设置有漏极区域B和源极区域B，外延层中