CN119584607A 改善反向恢复特性的mosfet及其制备方法、芯片 （深圳天狼芯半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119584607A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202510136484.0

(22)申请日2025.02.07

(71)申请人深圳天狼芯半导体有限公司

地址518063广东省深圳市南山区粤海街

道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905

(72)发明人李金耀

(74)专利代理机构深圳中一联合知识产权代理

有限公司44414

专利代理师林春梅

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D62/17(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

权利要求书2页说明书9页附图7页

(54)发明名称

改善反向恢复特性的MOSFET及其制备方法、

芯片

(57)摘要

CN119584607A本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善反向恢复特性的MOSFET及其制备方法、芯片，通过在源极层与所述控制栅多晶硅层之间设置第一二极管，在栅极层与所述控制栅多晶硅层之间设置位于第一二极管两侧的第二二极管，使得在器件反向导通的过程中，由源极提供高电位，与源极连接的二极管正常导通，连带器件的沟道打开，此时与栅极连接的