CN119584558A 一种超级结二极管及其制作方法 （通威微电子有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119584558A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202510131540.1

(22)申请日2025.02.06

(71)申请人通威微电子有限公司

地址610299四川省成都市双流区成都芯

谷产业园区集中区内

(72)发明人李大龙

(74)专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理

有限公司11463

专利代理师杜杨

(51)Int.Cl.

H10D8/00(2025.01)

H10D8/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

权利要求书2页说明书9页附图6页

(54)发明名称

一种超级结二极管及其制作方法

(57)摘要

CN119584558A本申请提供了一种超级结二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。该超级结二极管包括：N型外延片；位于N型外延片表面的终端区与有源区；其中，有源区包括至少两个第一P柱，每个第一P柱均包括P型侧壁及位于P型侧壁内的低掺杂N型离子区、第一绝缘介质层以及第二绝缘介质层；第一绝缘介质层与第二绝缘介质层的材料不同；第一绝缘介质层采用低介电常数或高介电强度的材料制作而成；位于终端区表面的钝化保护层；位于有源区表面的第一金属层以及位于外延片背面的第二金属层。本申请提供的超级结二极管及其制作方法具