CN119585464A 多晶SiC成型体及其制造方法 （东海炭素株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119585464A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202380054313.2

(22)申请日2023.07.04

(30)优先权数据

2022-2054412022.12.22JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.16

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0248192023.07.04

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/134941JA2024.06.27

(71)申请人东海炭素株式会社地址日本东京都

(72)发明人杉原孝臣

(74)专利代理机构北京安信方达知识产权代理

有限公司11262

专利代理师任梅杨明钊

(51)Int.Cl.

C23C16/42(2006.01)

C30B29/36(2006.01)

H01L21/205(2006.01)

权利要求书1页说明书8页附图2页

(54)发明名称

多晶SiC成型体及其制造方法

(57)摘要

CN119585464A提供平坦性优异的多晶SiC成型体及其制造方法，多晶SiC成型体为大致板状，具有第一主面以及与第一主面平行的第二主面，多晶SiC成型体包括：沿着第一主面的法线方向的(200)面、(311)面、(111