CN119584582A 一种氮化镓基器件及其制备方法 （南京大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119584582A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202510131104.4

(22)申请日2025.02.06

(71)申请人南京大学

地址210023江苏省南京市栖霞区仙林大

道163号

(72)发明人周峰俞亦腾荣玉陆海徐尉宗周东任芳芳

(74)专利代理机构北京融智邦达知识产权代理事务所(普通合伙)11885

专利代理师冷欢

(51)Int.Cl.

H10D30/47(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

权利要求书2页说明书10页附图5页

(54)发明名称

一种氮化镓基器件及其制备方法

(57)摘要

CN119584582A本发明提供了一种氮化镓基器件及其制备方法，属于半导体技术领域。包括衬底层、氮化镓层、势垒层，势垒层上设置有栅极P型氮化镓层和第一栅极金属层。栅极P型氮化镓层的两侧设置有源极欧姆金属层、漏极欧姆金属层，以及各自上方连接的源极场板金属层和漏极场板金属层，栅极P型氮化镓层和漏极欧姆金属层之间设置有空穴注入结构，空穴注入结构包括矩形P型氮化镓层、第二栅极金属层，以及穿设于矩形P型氮化镓层和第二栅极金属层中部并连接氮化镓层的欧姆金属柱