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半导体封装键合工艺工程师岗位招聘考试试卷及答案

半导体封装键合工艺工程师岗位招聘考试试题

一、填空题（共10题，每题1分）

1.常见丝键合类型包括金丝键合、______键合和铜丝键合。

2.超声键合中，超声能量的作用是______金属表面氧化膜。

3.键合三大核心参数：温度、______、超声功率（或时间）。

4.引线框架主要材料通常是______（如铜合金）。

5.虚焊是指键合点______不足，导致电连接失效。

6.热压键合的两个关键条件：加热和______。

7.环氧塑封料（EMC）用于______芯片和键合丝，起保护作用。

8.控制键合丝丝径的部件是______。

9.铝丝键合成本比金丝键合______（填“高/低”）。

10.丝弧高度影响产品的______（如可靠性、封装尺寸）。

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.无需外部加热的键合类型是？

A.热压键合B.超声键合C.热超声键合D.共晶键合

2.铜丝键合相比金丝的主要优势是？

A.导电性更好B.抗氧化性更强C.成本更低D.键合强度更高

3.短路缺陷通常因？

A.丝弧高度过低B.压力过大C.超声功率过小D.温度过高

4.可检测虚焊的方法是？

A.拉力测试B.外观检查C.电性能测试D.以上都是

5.热超声键合温度范围一般是？

A.100-200℃B.200-300℃C.300-400℃D.室温

6.引线框架电镀层通常