CN119588591A 一种用于气体喷淋头的耐等离子体腐蚀涂层的形成方法 （中微半导体设备(上海)股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119588591A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202311160758.7

(22)申请日2023.09.08

(71)申请人中微半导体设备（上海）股份有限公司

地址201201上海市浦东新区金桥出口加

工区（南区）泰华路188号

(72)发明人梁重时钱俊

(74)专利代理机构上海元好知识产权代理有限

公司31323

专利代理师贾慧琴贾艺璇

(51)Int.Cl.

B05D1/38(2006.01)

C23C16/50(2006.01)

C23C16/455(2006.01)

C23C16/40(2006.01)

C23C16/32(2006.01)

C23C16/34(2006.01)

B05D3/02(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图6页

(54)发明名称

一种用于气体喷淋头的耐等离子体腐蚀涂

层的形成方法

(57)摘要

CN119588591A本发明公开了一种用于气体喷淋头的耐等离子体腐蚀涂层的形成方法，包括以下步骤：提供一气体喷淋头，其设置有若干贯通所述气体喷淋头的正面和背面的气孔；所述气孔内壁覆盖设置有阳极氧化层；采用二氧化硅溶胶凝胶法在所述气孔内壁的阳极氧化层上形成二氧化硅层；对所