氮化硼同素异构体性质及其在工业与半导体领域应用研究.pdfVIP

一、选题依据

1．课题

指导老师自命题

2．背景

与IV族碳元素类似，氮化硼既有由sp²键构成的石墨网状结构的六方氮化硼（HBN）和

菱方氮化硼（RBN），也有由sp³键构成的类似于石结构的立方氮化硼（CBN）以及纤锌

矿型氮化硼（WBN），这是氮化硼的四种同素异构体，不同的晶体结构其性质不同，其中立

方氮化硼（CBN）和六方氮化硼（HBN）在当前工业应用中前景较为，立方氮化硼（CBN）

性能优异，在硬度方面是仅次于石的超硬材料，导热性能极好，尤其具有较高的热稳定

性，同时CBN有耐磨、摩擦系数小的特点，实际上CBN晶体（高温高压合成）的烧结体

做成的刀具、磨具已应用于各种硬质合金材料的高速精密加工中。CBN作为一种宽禁带半导

体材料，具有高热导率、高电阻率、高迁移率、低介电常数、高击穿电场、能实现双型掺杂

且具有良好的稳定性，它与石、SiC和GaN一起被称为继Si、Ge及GaAs的第三代

材料，它们的共同特点是带隙宽，适用于制作在条件下使用的电子器件。与SiC

和GaN相比，CBN与石有着更为优异的性质，如更宽的带隙、更高的迁移率、更高的击

穿电场、更低的介