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先进制程半导体制造技术发展趋势与竞争格局分析

专题研究报告

摘要

全球先进制程半导体制造进入2nm时代，台积电2025年Q4量产N2工艺采用GAA架构，三星和英特尔紧追。AI算力需求驱动先进制程高速增长，台积电先进制程营收占比达74%。EUV光刻技术持续演进，High-NAEUV成2nm及以下制程关键设备。先进封装与Chiplet成为延续摩尔定律的重要路径。

一、背景与定义

1.1先进制程的定义与范畴

半导体制程节点通常以晶体管的最小线宽来衡量，节点数字越小，代表制造工艺越先进。行业通常将制程节点为28nm及以下的工艺称为先进制程，这一分界点的选择基于多重考量因素。当制程节点缩小至28nm及以下时，传统的平面晶体管架构遇到严重的泄漏电流问题，必须采用新型晶体管架构才能继续提升性能。同时，28nm节点也是浸没式光刻技术的极限，更小的制程节点需要采用极紫外光刻技术。

当前，全球半导体行业的先进制程竞争已经聚焦于3nm、2nm和1.4nm节点。台积电作为全球最大的晶圆代工厂，已于2022年底实现N3工艺的量产，并计划于2025年第四季度量产N2工艺。三星和英特尔也在加速追赶，分别推出各自的先进制程节点产品。值得注意的是，随着制程节点的不断缩小，各家厂商的命名规则已经不再严格对应实际的物理线宽，而是更多地代表一种性能等价水平。

1.2摩尔定律的演进与挑战

摩尔定律由英特