CN119586343A 一种半导体器件及其制备方法、存储系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119586343A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202380009386.X

(22)申请日2023.05.31

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.06.14

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/CN2023/0976062023.05.31

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/243905ZH2024.12.05

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人张权薛磊石艳伟许文山

孙超陈亮谢博儒

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限

公司44570

专利代理师孟霞

(51)Int.Cl.

H10B43/35(2023.01)

H10B43/40(2023.01)

(54)发明名称

一种半导体器件及其制备方法、存储系统

(57)摘要

CN119586343A本申请实施例提供半导体器件及其制备方法、存储系统，其中，该半导体器件包括：第一半导体结构，第一半导体结构包括第一阱区；第二半导体结构，第二半导体结构与第一半导体结构键合，第二半导体结构包括第二阱区，其中，第二半导体结构的第二阱区设置有鳍式场效应晶体管。通