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30V N-通道PowerTrench®SyncFET™特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-05-20 发布于北京
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30V N-通道PowerTrench®SyncFET™特性与应用.pdf

    2012年12月

    ®

    FDS6699S30VN‑通道PowerTrench

    SyncFETTM

    特性一般描述

    ■21A，30V最大RDS(ON)=3.6mΩ@VGS=10FDS6699S设计用于替代同步DC:DC电源中的单个SO‑8

    V最大RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=4.5VMOSFET和二极管。这款30VMOSFET旨在最度

    ■包含SyncFET体二极管提高功率转换效率，低RDS(ON)和低栅极电荷。

    ■高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)和快速开关FDS6699S集成了使用Fairchild的单片SyncFET技术的肖特

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