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氮化镓功率芯片项目可行性研究报告

第一章项目总论

项目名称及建设性质

项目名称

氮化镓功率芯片项目

项目建设性质

本项目属于新建高新技术产业项目，主要从事氮化镓功率芯片的研发、生产与销售，致力于打造具备自主核心技术的氮化镓功率芯片生产基地，填补区域内高端功率半导体器件产业空白，推动半导体产业链升级。

项目占地及用地指标

本项目规划总用地面积52000.50平方米（折合约78.00亩），建筑物基底占地面积37440.36平方米；总建筑面积61360.60平方米，其中绿化面积3380.03平方米，场区停车场和道路及场地硬化占地面积10520.11平方米；土地综合利用面积51340.50平方米，