CN119592974A 一种原位制备聚苯硫醚基膜电极的方法 (江西理工大学).docxVIP

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  • 2026-05-21 发布于山西
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CN119592974A 一种原位制备聚苯硫醚基膜电极的方法 (江西理工大学).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119592974A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202510144121.1

(22)申请日2025.02.10

(71)申请人江西理工大学

地址341000江西省赣州市章贡区红旗大

道86号

申请人沧州工苑新型膜材料有限公司

(72)发明人范兰兰林鋆沛陈浩斌吴欣雨李振环

(74)专利代理机构天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)12210

专利代理师王瑞

(51)Int.Cl.

C25B9/23(2021.01)

C25B11/091(2021.01)

C25B13/08(2006.01)

C25B1/04(2021.01)

权利要求书1页说明书5页附图6页

(54)发明名称

一种原位制备聚苯硫醚基膜电极的方法

(57)摘要

CN119592974A本发明公开了一种原位制备聚苯硫醚基膜电极的方法,包括:将聚苯硫醚布进行等离子体处理,再浸泡于酸性溶液或碱性溶液中,然后清洗后干燥,得到亲水聚苯硫醚隔膜;然后在亲水聚苯硫醚隔膜表面浇筑一层掺有稀土离子或铁系元素离子的PAN或PVP溶液,干燥后,得到复合聚苯硫醚隔膜;利用二氧化碳激光雕刻对复合聚苯硫醚隔膜中含有稀土离子或铁系元素离子的PAN或PVP聚合物层进行激光雕刻

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