2025年原子层蚀刻（ALE）侧壁粗糙度控制半导体芯片制造工艺工程师考核试卷.docVIP

2025年原子层蚀刻（ALE）侧壁粗糙度控制半导体芯片制造工艺工程师考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30分）

1.原子层蚀刻（ALE）侧壁粗糙度的主要控制因素是？

A.蚀刻气体流量

B.蚀刻功率

C.化学反应活性

D.基板温度

2.在ALE工艺中，提高基板温度通常会导致？

A.蚀刻速率增加

B.侧壁粗糙度减小

C.蚀刻选择性提高

D.化学反应活性降低

3.下列哪种材料最适合用于高精度的原子层蚀刻工艺？

A.硅（Si）

B.氮化硅（SiN）

C.氧化硅（SiO?）

D.以上都是

4.原子层蚀刻（ALE）工艺中，脉冲控制的主要目的是？

A.提高蚀刻速率

B.控制侧壁粗糙度

C.增加蚀刻选择性