激光器外延芯片用砷化镓衬底编制说明.pdfVIP

一、工作简况

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一任务来源

根据国标委发[2024]44号文件和《工业和信息化部办公厅关于印发2024年第四批标准

制修订计划的通知》中的2024年半导体材料标准项目计划，推荐性国家标准《激光器外

延芯片用砷化镓衬底》（计划编号T-469）由广东先导微电子科技有限公司牵

头起草。

(二)项目背景

20209

年月，发改委、科技部、工信部、财政部联合发布了《关于扩大战略性新兴产

业投资培育壮大新增长点增长极的指导意见》，强调要加大5G建设投资，加快5G商用发

展步伐，并推动基础材料、关键芯片、高端元器件、新型显示器件及关键软件等核心技

术的攻关。

光纤通信、新基建、宽带网络产业作为支撑经济社会发展的基础性、战略性和先导

性产业，其中光模块与光传感器是核心部件。

砷化镓因其优异的光电性质（如直接跃迁带隙、高电子迁移率、高强度吸收和发射

光线能力），被视为制造VCSEL（垂直腔面发射激光器）和激光二极管（LD）的理想衬

底材料。随着5G技术和物联网的发展，激光器在光通信领域的应用日益广泛，特别是在

数据中心云计算中采用/VCSEL激光器阵列的平行光纤发射器产品已超过100Gbit/s。全球

光器件市场规模已达百