2025年半导体行业技术部技术经理芯片工艺手册.docx

2025年半导体行业技术部技术经理芯片工艺手册

第1章晶圆制备与光刻

1.1衬底清洗与活化

清洗是去除硅片表面残留物、氧化层及有机污染物的关键步骤，常用等离子体清洗（PECVD）在300℃下处理15分钟，去除表面约10%的有机残留物，确保后续化学反应的活性位点暴露。离子注入活化用于钝化硅片表面，通过100keV的氩离子注入30秒，形成氢钝化层，将表面能降低30%，防止后续光刻胶发生光化学反应。

超声波清洗利用15kHz频率的声波在20℃水中进行10分钟处理，去除前道工序留下的金属离子和有机胶体，使硅片表面达到ISO9001级洁净度标准。氮气退