编制说明-半导体功率模块用DBC覆铜陶瓷基板技术要求.docx

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《半导体功率模块用DBC覆铜陶瓷基板技术要求》团体标准

征求意见稿编制说明

一、任务来源

近年来，半导体功率模块对散热与可靠性的要求日益严苛，直接覆铜陶瓷基板作为关键支撑材料，其技术发展与创新尤为活跃。该技术通过在高温环境下利用含氧共晶相实现铜层与陶瓷基片间的牢固冶金结合，奠定了其在高压、大电流与高热流密度应用中的核心地位。

在材料体系上，覆铜陶瓷基板已从早期普遍采用的氧化铝陶瓷，逐步向高热导率的氮化铝陶瓷以及兼具优异机械强度和热匹配性的氮化硅陶瓷扩展。氮化硅陶瓷基板因其热膨胀系数与第三代半导体材料碳化硅极为接近，显著降低了热应力，成为高功率密度碳化硅模块