GBT 47239.9-2026： 1T1R电阻存储单元性能测试方法PPT课件.pptxVIP

GB/T47239.9-2026:1T1R电阻存储单元性能测试方法

目录

02

器件结构介绍

01

标准概述

03

测试原理

04

测试方法与设备

05

性能参数分析

06

测试流程与验证

标准概述

01

标准背景与适用范围

柔性电子技术发展需求

随着可穿戴设备、生物医疗电子和智能物联网等新兴领域的快速发展，传统刚性半导体器件已无法满足弯曲、拉伸等复杂应用场景的要求，亟需建立针对柔性可拉伸半导体器件的标准化测试方法。

1T1R结构重要性

一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元是柔性非易失性存储器的核心结构，其性能直接影响柔性存储器的可靠性、耐久性和集成度，本标准填补了该领域测试方法的空白。

国际标准转化

本标准修改采用国际标准IEC62951-9:2022，结合国内柔性电子产业发展现状和技术特点，形成具有中国特色的测试规范，促进国内外技术接轨。

适用领域扩展

标准不仅适用于传统柔性基板上的1T1R存储单元，还涵盖可拉伸、可折叠等新型柔性电子器件的性能测试，为产业链各环节提供统一评估依据。

柔性可拉伸半导体器件

1T1R结构

指能够在弯曲、拉伸等机械变形条件下保持正常功能的半导体器件，其基板通常采用聚酰亚胺（PI）、聚二甲基硅氧烷（PDMS）等柔性材料。

由一个薄膜晶体管（TFT）和一个电阻式存储器（RRAM）组成的基本存储单元，晶体管用于选通控制，电阻存储器用于数据存储。