资讯四绝缘栅双极型晶体管81课件讲解.pptxVIP

大功率晶体管（GTR）属于双极型电流驱动器件，其优点是通流能力很强，不足之处是开关速度相对低，驱动功率大，驱动电路复杂。而MOSFET是单极型电压驱动器件，其优点是开关速度快，输入阻抗高，所需驱动功率小，而且驱动电路简单；缺点是导通压降大。于是有人提出将这两类器件的优点，即GTR的低导通压降与MOSFET的高输入阻抗结合起来，制成复合型器件，通常称为BiMOS器件，即IGBT。它综合了GTR和MOSFET的优点，具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。自投入市场以来，IGBT应用领域广泛，现已成为中、大功率电力电子设备的主导器件。资讯四绝缘栅双极型晶体管

1.IGBT的结构和工作原理IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。图4-8（a）所示为一种由N沟道型MOSFET与双极型晶体管组合而成的IGBT的基本结构，与MOSFET对照可以看出，IGBT比MOSFET多一层P+注入区，因而形成了一个大面积的PN结J3。这样使得IGBT导通时由P+注入区向基区发射少量载流子，从而对漂移区电导率进行调制，使得IGBT具有很强的通流能力，其简化等效电路如图4-8（b）所示。IGBT的电气图形符号如图4-8（c）所示。资讯四绝缘栅双极型晶体管图4-8IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号

2.IGBT的基本特性1）静态特性图4-9（a）所示为IGBT的转移特性，它描述的