CN120279552A 一种基于语义分割模型的半导体FinFET结构的氧化层厚度自动测量方法 （上海大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120279552A

(43)申请公布日2025.07.08

(21)申请号202510345361.8

(22)申请日2025.03.24

(71)申请人上海大学

地址200444上海市宝山区上大路99号

(72)发明人杨振刘成

(74)专利代理机构上海申浩律师事务所31280

专利代理师陈良宣

(51)Int.Cl.

G06V20/69(2022.01)

G06V20/70(2022.01)

G06V10/26(2022.01)

G06V10/34(2022.01)

G06V10/44(2022.01)

G06V10/77(2022.01)

G06