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- 2026-05-22 发布于北京
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纳米技术半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法
1范围
本标准规定了半导体纳米粉体材料的紫外-可见漫反射光谱测试方法。
本标准适用于不透光半导体纳米粉体材料漫反射光谱的测试。
2规范性引用文件
下列文件的条款通过本文件的引用而成为本文件的条款。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
JJG178紫外、可见、近红外分光光度计检定规程
JJF1232反射率测定仪校准规范
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
半导体semiconductor
导电性能介于导体与绝缘体之间,室温下电阻率约为10-5Ω·cm~1012Ω·cm,由带正电的空穴和带负电的电子两种载流子参加导电,并具有负的电阻温度系数以及光电导效应、整流效应的固体物质。
[GB/T14264-2024,定义3.1]
3.2
纳米粉体nanopowder
离散纳米颗粒的集合体。
3.3
漫反射diffusereflection
在宏观尺度上不存在规则反射时,由反射造成的弥散过程。
[JJF1032-2005,定义4.5]3.4
反射率reflectivity
材料层的厚度达到其反射比不再随厚度的增加而变化时的反射比,无量纲。
[JJF1032-20
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