原创力文档英飞凌AIMDQ75R050M2H汽车功率器件
最终数据手册
英飞凌碳化硅MOSFET汽车功率器件
英飞凌CoolSiC™碳化硅汽车功率器件750VG2
750VCoolSiC™MOSFET采用英飞凌强大的第2代碳化硅沟槽技术，提
供无与伦比的性能、卓越的可靠性和极佳的易用性。它能够实现经济
高效且简化的设计，满足不断增长的系统和市场需求。
特性
•高度稳健的750V技术，100%经过雪崩测试
•同类最佳的RDS(on)xQf
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