CN119600022A 半导体制造过程中增强晶圆探测的方法及系统 （北京珂阳科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119600022A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202510139967.6

(22)申请日2025.02.08

(71)申请人北京珂阳科技有限公司

地址100176北京市通州区经济技术开发

区西环南路26号院30号楼（嘉捷科技

园A座）6层-605

(72)发明人张磊叶思龙刘畅王树平

(74)专利代理机构北京星通盈泰知识产权代理

有限公司11952

专利代理师黄正奇

(51)Int.Cl.

G06T7/00(2017.01)

H01L21/66(2006.01)

G06T5/70(2024.01)

权利要求书6页说明书18页附图1页

(54)发明名称

半导体制造过程中增强晶圆探测的方法及

系统

(57)摘要

CN119600022A本发明提供一种半导体制造过程中增强晶圆探测的方法及系统，涉及晶圆探测技术领域，包括向晶圆表面发射双频激光形成可控重叠区域，采集拍频信号获取初始高度信息；对拍频信号进行自适应滤波处理，重建晶圆表面三维轮廓，生成初始缺陷分布图；根据初始缺陷分布图确定二次检测区域进行正交扫描，识别并剔除伪缺陷信号，提取缺陷特征，确定缺陷成因类型。本发明提高了晶圆缺陷检测的准确性和效率，有助

CN119600