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微电子器件试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题：

1.PN结零偏置时，空间电荷区内的电场分布（）

A.线性变化B.恒定不变C.指数变化D.正弦变化

2.在半导体中，本征载流子浓度主要取决于（）

A.掺杂浓度B.温度C.光照强度D.外加电压

3.BJT在放大区工作时，发射结和集电结的偏置状态分别为（）

A.正偏、反偏B.反偏、正偏C.正偏、正偏D.反偏、反偏

4.MOSFET的阈值电压V_T随衬底掺杂浓度增加而（）

A.增加B.减小C.不变D.先增后减

5.半导体器件中的“雪崩击穿”通常发生在（）

A.轻掺杂PN结B.重掺杂PN结C.金属-半导体结D.异质结

6.MOSFET的亚阈值摆幅（SubthresholdSwing）定义为（）

A.V_GS变化10倍时I_D的变化量B.I_D变化10倍时V_GS的变化量C.V_DS变化10倍时I_D的变化量D.温度变化10倍时V_T的变化量

7.在集成电路工艺中，氧化层生长主要用于（）

A.形成源漏区B.形成栅极C.隔离器件D.降低接触电阻

8.双极型晶体管的基区宽度增加会导致电流放大系数β（）

A.