摘要
近年来,氧化锌(ZnO)因其带隙宽、在紫外光区性能优越、工艺简单等优点成
为紫外探测材料的理想选择。为了实现ZnO基探测器多场景、大范围的应用,利用Si
材料集成简单、工艺成熟的特点,制备了基于金属-半导体-金属(MSM)结构的ZnO/Si
光电探测器。针对ZnO/Si探测器进行紫外探测时,抗干扰能力差的问题,本文利用
射频磁控溅射技术,p-Si衬底与ZnO薄膜之间生长绝缘层氧化镁(MgO),利用MgO
与Si之间较大的导带偏移,阻挡了Si的光生电子向ZnO
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