2026年脑机接口研究员考试题库（附答案和详细解析）（0516）.docxVIP

脑机接口研究员

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

在非侵入式脑机接口中，用于采集脑电信号（EEG）的常用电极放置位置是：A.硬膜外B.硬膜下C.头皮D.脊髓

答案：C解析：头皮电极（EEG）放置于头皮表面，是最常见的非侵入式采集方式，信号穿透颅骨衰减较大但安全性高；硬膜外/硬膜下电极（ECoG）位于硬脑膜外或下方，信噪比优于EEG；脊髓电极用于运动功能恢复。

以下哪种材料常被用于制造侵入式BCI的高性能微电极阵列？A.铂B.硅C.金D.银

答案：B解析：硅微电极（如Utaharray）因其高密度阵列和良好的生物相容性，是侵入式BCI中最为常