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研究报告

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绝缘栅双极晶体管IGBT研究的中期报告

一、引言

1.IGBT技术背景

(1)绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种高压、大电流的功率半导体器件，自20世纪70年代问世以来，因其优异的性能和可靠性，在电力电子领域得到了广泛应用。IGBT结合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的大电流承载能力，克服了传统GTR驱动困难、功率损耗大的缺点，成为现代电力电子技术中不可或缺的核心元件。随着电力电子技术的不断发展，IGBT在新能源、工业控制、交通运输等领域的应用日益广泛，推动了相关行业的技术进步和产业升级。

(2)IGBT技术背景的深入研究对于提升我国电力电子产业