基于同位素示踪法洞察氧化物半导体点缺陷能量学特性.docx

基于同位素示踪法洞察氧化物半导体点缺陷能量学特性

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技迅猛发展的浪潮中，氧化物半导体凭借其独特的物理性质和广泛的应用前景，已然成为材料科学领域的研究焦点。从电子学中的场效应晶体管到能源领域的太阳能电池，从光电器件中的发光二极管到传感器领域的气体传感器，氧化物半导体都发挥着不可替代的关键作用。其卓越的性能，如高载流子迁移率、宽禁带宽度、良好的化学稳定性和光学透明性等，为实现高性能、多功能的电子器件和能源转换系统提供了坚实的基础。

点缺陷作为氧化物半导体中最基本的缺陷类型，对其性能产生着深远而复杂的影响。点缺陷包括空位、间隙原子和杂质原子等，它们的存在会显著