CN119604046A 基于组分和栅压联合调控的场效应晶体管及制备方法 （国科大杭州高等研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119604046A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202510145273.3

(22)申请日2025.02.10

(66)本国优先权数据

202411252125.32024.09.06CN

(71)申请人国科大杭州高等研究院

地址310024浙江省杭州市西湖区象山支

弄1号

(72)发明人张力波张拾张运铎萧克宁王林陈效双

(74)专利代理机构浙江杭州金通专利事务所有限公司33100

专利代理师邓世凤

(51)Int.Cl.

H10F30/282(2025.01)

H10F77/20(2025.01)

H10F77/12(2025.01)

H10F71/00(2025.01)

权利要求书2页说明书8页附图9页

(54)发明名称

基于组分和栅压联合调控的场效应晶体管

及制备方法

(57)摘要

CN119604046A本发明的基于组分和栅压联合调控的场效应晶体管及其制备方法，在本征低阻硅衬底上是二氧化硅层，在二氧化硅层上是源、漏金属电极，源、漏电极为金属复合电极，包括铬电极和金电极，源、漏电极沟道填充的底层为铋硒氧纳米片，铋硒氧纳米片上为黑砷磷纳米片和顶栅铋硒氧纳米片介质层，源、漏电极和栅电极与相应的引线电极